基于硅-二氧化铪-硅混合波导及其制备方法

一种基于硅‑二氧化铪‑硅混合波导及其制备方法，由上而下依次包括：硅波导层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层，该混合波导可传播TE模和TM模，其中：二氧化铪层的厚度改变导致光模场局域在二氧化铪层的比例值改变，即：光模场局域在二氧化铪层的比例与二氧化铪厚度正相关；在二氧化铪层为100nm时，光模场局域在二氧化铪层的比例为0.51。本发明通过异质集成结构引入二氧化铪材料，将二氧化铪的压电，线性电光等效应应用到集成光波导结构中并与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较为简单。