基于薄膜铌酸锂平台的变迹光栅耦合器

发布于: 2026-03-20 | 作者: 张永; 王欢; 孙敏; 张洵 | 分类: research

一种基于薄膜铌酸锂平台的变迹光栅耦合器,包括:由下而上依次设置的硅衬底、掩埋氧化硅层、薄膜铌酸锂层、氧化硅包层,其中:薄膜铌酸锂层中依次设有端面耦合器、薄膜铌酸锂波导、光束扩展器和变迹光栅,端面耦合器将锥形光纤的光耦合到薄膜铌酸锂波导中,经过光束扩展器输入变迹光栅后,通过变迹光栅衍射耦合出大束腰的高斯光束。本发明基于大尺寸变迹光栅,通过紧凑的平面光子结构,能够将700nm×300nm铌酸锂高折射率单模波导耦合到具有约110µm束腰的良好准直的近表面法线高斯光束,衍射角为10°,在自由空间中实现厘米级传播,损耗为5.6dB。