硅-碳化硅结构混合波导及其制备方法

一种硅‑碳化硅结构混合波导及其制备方法，制备得到的波导由上而下依次包括：氧化硅包层、硅波导层、碳化硅层、氧化硅掩埋层和硅衬底，该混合波导核心为：硅波导层、氧化硅包层和用于传输TE模或TM模的碳化硅层。本发明充分利用碳化硅材料的优良特性，通过离子切割和层转移技术制备，无需离子注入工艺，因此本发明的工艺与CMOS兼容。通过将光模场局限在碳化硅中使得其优良的光电学特性得以利用在传输过程中，碳化硅材料的优良特性可以克服传统硅的部分限制，并且与微电子CMOS工艺相兼容，制备过程较简单。