一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法,包括:从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层,即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构,利用氮化铝材料的优良特性,实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。
一种硅基氮化铝混合波导及其实现方法,包括:从上到下依次设置的第一硅层、用于传播TM模的氮化铝层和第二硅层,即用于传播TE模和/或TM模的硅‑氮化铝‑硅结构。本发明在SOI基底上通过沉积和刻蚀技术实现硅与氮化铝异质集成的混合狭缝波导结构,利用氮化铝材料的优良特性,实现光模场局域在氮化铝中传播的硅‑氮化铝‑硅异质集成的混合狭缝波导结构及制备方法。